时间：2025/9/14 20:12:45
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BUK9635-55A,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于中高功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有极低的导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A（Tc=25℃）
功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
导通电阻(Rds(on))：典型值为3.5mΩ（Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：约160nC
漏源击穿电压(BR)Vds：55V
阈值电压(Vgs(th))：2V～4V
BUK9635-55A,118 采用了恩智浦的高级Trench沟槽技术，使其在相同的封装尺寸下实现了更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。该MOSFET具备优异的热管理性能，在高电流应用中表现出色，且具备较强的短路耐受能力，增强了系统的可靠性。器件的栅极结构设计优化，使得开关损耗（Eon/Eoff）较低，有利于提高开关频率，适用于高频电源转换器。此外，其TO-263（D2PAK）表面贴装封装不仅提供了良好的散热性能，还简化了PCB布局与制造流程，适合自动化装配。
在实际应用中，BUK9635-55A具有较高的耐用性和稳定性，能够适应多种工作环境。其高电流承载能力和低功耗特性也使其成为工业控制、服务器电源、电池管理系统（BMS）以及新能源汽车相关应用的理想选择。
BUK9635-55A,118 适用于多种高功率和高效率要求的电子系统。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电与管理系统（如电动车、储能系统）、服务器和通信设备电源模块、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于大电流负载的开关控制，如LED照明系统、不间断电源（UPS）以及各类电源管理模块。
IPB015N06N G、IRF150、STP150N55U3AG、IXT150N55D1
