时间：2025/9/13 23:01:08
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BUK9628-55A,118是一款由NXP Semiconductors生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流承载能力。其封装形式为TO-220，适用于各种高功率密度设计场景，例如电源供应器、电机控制、DC-DC转换器和负载开关应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：140A
RDS(on)（最大值）：2.8mΩ @VGS=10V
功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
极性：N沟道
BUK9628-55A,118具有出色的电气性能和热稳定性，其主要特点包括低导通电阻、高电流能力和优异的开关性能。该MOSFET采用先进的沟槽技术，实现了更低的导通损耗，同时具备较高的耐用性和可靠性。此外，该器件的封装设计有助于快速散热，适合高功率密度和高效率的电源系统设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，便于与多种控制电路兼容。其快速开关特性有助于降低开关损耗，从而提高整体系统效率。在实际应用中，该器件还具有较强的抗短路能力和过载保护能力，能够适应较为严苛的工作环境。
由于其优异的性能，BUK9628-55A,118广泛应用于工业电源、服务器电源、汽车电子、电池管理系统（BMS）以及高性能DC-DC转换器等场景。其高可靠性和良好的热管理能力也使其成为许多高要求应用的首选器件。
BUK9628-55A,118适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器、负载开关、汽车电子系统、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻特性特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。
IRF1405, STP150N55F3AG, IPW90R030C3, BSC090N03LS
