时间：2025/9/14 7:06:21
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BUK9628-100A,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高效率的开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：110A
漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：310W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9628-100A,118 具备多项优异的电气和热性能，是电源管理与功率转换系统中的理想选择。其核心特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），在工作时能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用先进的封装技术，具备出色的散热性能，使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
该器件的高栅极耐压能力（±20V）使其适用于多种驱动条件，同时具备良好的抗电压瞬态干扰能力。由于其高耐用性和可靠性，BUK9628-100A,118 特别适合在苛刻的工业环境中使用。其封装形式（TO-263）支持表面贴装，便于集成到PCB设计中，并有助于提高制造效率。
该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频率操作，减少开关损耗，适用于DC-DC转换器、电动机驱动器、电池管理系统和不间断电源（UPS）等应用场景。此外，其良好的热稳定性和低热阻使其在高温度环境下仍能维持良好的性能。
BUK9628-100A,118 广泛应用于多个领域，包括工业自动化、汽车电子、电源管理系统、电机控制和功率转换系统。具体应用包括DC-DC转换器、H桥驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池充电器和电动车辆的功率控制模块。其高效、高可靠性的特性使其成为高功率密度设计中的优选器件。
IRF1405, STP110N10F7, FDP110N10, SiR142DP
