时间：2025/9/14 16:45:18
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BUK9624-55A,118 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，适用于电源转换、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。BUK9624-55A 采用了先进的 Trench MOSFET 技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业级环境中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：200A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：3.7mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：200W
BUK9624-55A,118 的核心优势在于其卓越的导通性能和高电流承载能力。其导通电阻 Rds(on) 仅为 3.7mΩ，在 10V 栅极驱动电压下能够显著降低功率损耗，提升系统效率。该器件可承受高达 200A 的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。此外，其最大漏源电压为 55V，适用于中等电压范围的功率转换系统。
该 MOSFET 具备良好的热管理能力，TO-220 封装提供了优异的散热性能，使其能够在高负载条件下稳定运行。器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持标准的 10V 栅极驱动电路，兼容常见的 MOSFET 驱动器和控制器。此外，其工作温度范围覆盖 -55°C 至 +175°C，确保在极端环境下的可靠运行。
在可靠性方面，BUK9624-55A,118 设计符合工业级标准，具备高耐用性和稳定性，适用于各种严苛的工作条件。其封装形式也便于安装和散热设计，适合用于高功率密度的电路设计中。
BUK9624-55A,118 广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。常见的应用包括：DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、服务器电源和电信设备电源等。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换和控制电路。
在电动汽车和新能源系统中，BUK9624-55A 也可用于电池保护电路、充电管理系统以及功率控制模块。其高热稳定性和优异的封装设计使其在高负载和高温环境下依然能够稳定工作，适用于车载和工业级应用。
此外，该 MOSFET还可用于同步整流器、开关电源（SMPS）和 LED 驱动电路等应用中，帮助提高整体系统的能效和稳定性。
SiHF200N05Y, IRLB8721PbF, IRF1405, STP200N55F3AG, FDP200N55F
