时间：2025/9/14 0:21:23
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BUK9614-55A,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的应用场景。该器件采用先进的Trench沟道技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。该MOSFET为N沟道增强型，采用55A的额定漏极电流，支持较高的开关频率，并具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
额定漏极电流（ID）：55A
导通电阻（RDS(on)）：最大7.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
引脚数：3
BUK9614-55A,118采用先进的Trench沟道技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现优异，同时具备良好的热稳定性，能够有效降低功率损耗并提高设备寿命。该MOSFET支持高频率开关操作，适合用于高效率的电源转换系统，如同步整流器、DC-DC转换器和负载开关。此外，其高电流承载能力和优异的热阻特性确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该器件的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，便于安装和使用。其高耐压能力（30V VDS）使得该MOSFET能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围较宽（最高支持20V），允许用户根据应用需求优化导通性能和开关损耗。由于其具备较高的可靠性和较长的使用寿命，BUK9614-55A,118非常适合用于工业控制、汽车电子、通信设备和电源管理系统等领域。
BUK9614-55A,118广泛应用于高功率密度和高效率要求的电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电源管理模块以及各种工业和汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换应用的理想选择。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）以及各种高功率便携式设备中。由于其良好的热性能和稳定性，该器件也适用于需要长时间高负载运行的工业自动化和控制系统。
BUK9614-55A,118的替代型号包括STL11N3LLH5、FDS4410、IRF3710、SiR144DP、IPB04N04LA06、NTMFS4C10N等具有相似电气特性和封装的MOSFET器件。
