时间：2025/9/14 19:55:42
阅读：9
BUK9612-55B,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：最大值为5.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263(D2Pak)
BUK9612-55B,118具有多项显著的技术特点，首先，其低导通电阻可显著降低传导损耗，提高整体系统的能效。该器件的导通电阻最大值仅为5.5mΩ，在Vgs=10V条件下，使其在高电流应用中表现出色。
其次，该MOSFET采用了NXP的TrenchMOS技术，使芯片结构更紧凑，同时保持了较高的电流承载能力。这种结构优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，适合高频开关应用。
此外，BUK9612-55B,118采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式不仅提高了器件的热管理能力，还便于自动化装配和高效布局设计。
该器件支持高达120A的连续漏极电流，适用于大功率负载切换和高电流应用，如电动工具、工业自动化设备、电池管理系统和服务器电源等。其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）也使其在极端环境下依然保持稳定的工作性能。
栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，便于集成到各种控制系统中。同时，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在突发电压尖峰情况下的可靠性。
BUK9612-55B,118广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）：由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于高效率AC-DC和DC-DC转换器中的主开关或同步整流器。
2. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统和高功率便携设备中，BUK9612-55B,118可用作高侧或低侧负载开关，实现高效的充放电控制。
3. 电机控制和驱动器：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、工业伺服系统和电动工具，提供快速的开关响应和低损耗性能。
4. 负载开关与热插拔应用：在服务器和通信设备中，该MOSFET可用于实现高可靠性、低功耗的负载开关控制。
5. 工业自动化与控制系统：适用于PLC、变频器、伺服驱动器等设备中的高功率开关控制应用。
BUK9614-55B,118, BUK9613-55B,118, IRF1405, SiR142DP
