时间：2025/9/14 13:12:19
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BUK9606-75B,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源管理和 DC-DC 转换应用。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高频率下运行，适用于高效率开关电源（SMPS）以及电机控制、电池管理系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：100A
漏源导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：7.5mΩ
漏源导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：10mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9606-75B,118 是一款性能优异的功率 MOSFET，其核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 7.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，在 Vgs=4.5V 时 Rds(on) 为 10mΩ，使其兼容低电压栅极驱动电路，适用于同步整流、电池供电系统等对驱动电压有限制的场景。该器件具备高电流容量（Id 最大为 100A），能够承受大负载电流，适用于高功率密度设计。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产流程。此外，该 MOSFET 的工作温度范围宽，支持从 -55°C 到 175°C 的极端环境操作，适用于工业级和汽车电子应用。该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高能脉冲环境下的可靠性。
在电气特性方面，BUK9606-75B,118 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也优化设计，支持高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器等。此外，其快速的开关特性（上升时间和下降时间短）进一步提升了高频工作的稳定性和效率。这些特性使该 MOSFET 成为工业电源、服务器电源、电信设备、汽车电子系统等高性能应用的理想选择。
BUK9606-75B,118 主要用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、服务器电源、电信设备电源以及汽车电子中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率应用中表现出色，尤其适合于要求高可靠性和高效率的工业和汽车系统。此外，该器件也常用于电源管理模块、高功率 LED 驱动器以及工业自动化控制系统中的功率开关部分。
SiR178DP, FDS4410, IRF1324S-7PPBF, BSC0906NS
