时间：2025/5/22 0:04:33
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BUK9606-55A是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3L封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
这款MOSFET在设计上优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其能够在高频开关条件下提供高效的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅极驱动电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：37nC（典型值）
输入电容：1140pF（典型值）
总功耗：18W
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力支持高频应用，减少了磁性元件体积并提高功率密度。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
5. 内置ESD保护功能，提高了器件的抗静电能力。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流开关。
3. 各类电机驱动应用，如风扇、泵和小型电动工具载开关和保护电路中的关键元件。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
IRF540N, FDP5800, STP14NF06L
