时间：2025/9/14 6:20:12
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BUK9606-55A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术制造，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源转换和功率管理应用。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合用于工业控制、电源供应器、DC-DC转换器、电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃～+175℃
存储温度范围：-55℃～+175℃
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
BUK9606-55A,118具有极低的导通电阻（Rds(on)），使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高电源转换效率。
该器件采用了先进的Trench沟槽MOSFET技术，显著降低了Rds(on)，同时保持了良好的开关性能，适合高频开关应用。
其高电流承载能力（高达80A）和出色的热管理能力，使得该MOSFET在高功率密度设计中表现出色，适用于各种电源转换和功率控制电路。
该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压冲击环境下的可靠性和稳定性。
此外，其封装形式为TO-220，便于安装在散热器上，有助于提高系统的热稳定性。
由于其宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），该器件适用于工业级和汽车级应用，在极端温度环境下依然能够稳定工作。
BUK9606-55A,118 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。例如，在DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理模块中均可使用。
该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、电信电源、工业电源、电池充电器、UPS（不间断电源）、电机控制和工业自动化设备。
由于其优异的导通性能和高电流能力，它也可以作为高功率负载的开关元件，广泛用于各类功率放大器、LED照明驱动器和汽车电子系统中。
此外，该MOSFET还可用于各种电源管理电路，如多相位电源、负载共享电路以及高可靠性工业控制系统。
IRF1405, STP80NF55, FDP80N55, IRLB8726PBF
