时间：2025/5/7 17:14:39
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BUK9575-55A 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种高效能电源管理应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），能够有效降低热阻并提升散热性能。
BUK9575-55A主要针对高电流负载、电机驱动以及DC-DC转换器等应用而设计，广泛应用于汽车电子、工业控制、通信电源等领域。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：54A
最大脉冲漏极电流：108A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：2.2mΩ
栅极电荷（典型值）：85nC
输入电容（典型值）：2070pF
反向恢复时间：40ns
工作结温范围：-55°C至+175°C
封装：TO-263
BUK9575-55A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合要求高效的PWM控制器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在过流或短路条件下的鲁棒性。
4. 优化的热性能，确保长时间稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业需求。
该产品通过严格的测试验证，能够适应恶劣的工作环境，同时提供卓越的电气性能和可靠性。
BUK9575-55A 的主要应用场景包括：
1. 汽车电子中的电机驱动、电动助力转向系统（EPS）及启停系统。
2. 工业设备中的变频器、伺服驱动和不间断电源（UPS）。
3. 开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和太阳能逆变器等高效能源管理系统。
4. 通信电源和基站电源，用于实现快速充电和大电流输出。
5. 各类需要高性能功率开关的应用领域，例如焊接机、电磁炉等。
IRFB3207, FDP5800
