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BUK9575-55A 发布时间 时间:2025/5/7 17:14:39 查看 阅读:21

BUK9575-55A 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高效能电源管理应用。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够有效降低热阻并提升散热性能。
  BUK9575-55A主要针对高电流负载、电机驱动以及DC-DC转换器等应用而设计,广泛应用于汽车电子、工业控制、通信电源等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:54A
  最大脉冲漏极电流:108A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):2.2mΩ
  栅极电荷(典型值):85nC
  输入电容(典型值):2070pF
  反向恢复时间:40ns
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装:TO-263

特性

BUK9575-55A 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合要求高效的PWM控制器。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在过流或短路条件下的鲁棒性。
  4. 优化的热性能,确保长时间稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业需求。
  该产品通过严格的测试验证,能够适应恶劣的工作环境,同时提供卓越的电气性能和可靠性。

应用

BUK9575-55A 的主要应用场景包括:
  1. 汽车电子中的电机驱动、电动助力转向系统(EPS)及启停系统。
  2. 工业设备中的变频器、伺服驱动和不间断电源(UPS)。
  3. 开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和太阳能逆变器等高效能源管理系统。
  4. 通信电源和基站电源,用于实现快速充电和大电流输出。
  5. 各类需要高性能功率开关的应用领域,例如焊接机、电磁炉等。

替代型号

IRFB3207, FDP5800

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BUK9575-55A参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 10 V
  • 漏极连续电流20 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.068 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间33 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散62 W
  • 上升时间47 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间28 ns
  • 零件号别名BUK9575-55A,127