时间:2025/12/27 20:33:59
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BUK9535-55是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能TrenchMOS低压场效应晶体管(FET),采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,专为高电流开关应用而设计。该器件属于NXP的NextPower系列,具有极低的导通电阻(RDS(on))和优化的栅极电荷特性,使其在电源管理、电机控制和DC-DC转换等应用中表现出卓越的效率和性能。BUK9535-55是一款N沟道增强型MOSFET,最大漏源电压(VDS)为30V,最大连续漏极电流可达104A,适用于需要高功率密度和高能效的现代电子系统。其封装形式为LFPAK(也称为Power-SO8),这种表面贴装封装具有优异的热性能和电气性能,支持自动化生产并可实现紧凑型PCB布局。由于其低损耗和高可靠性,BUK9535-55广泛应用于汽车电子、工业电源、服务器电源以及电池管理系统等领域。
类型:N沟道
极性:增强型
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):104A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM):416A
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V:4.5mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V:5.5mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5V:7.3mΩ
阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss):典型值 3300pF
输出电容(Coss):典型值 1050pF
反向恢复时间(trr):典型值 23ns
二极管正向电压(VSD):典型值 0.88V
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装:LFPAK (Power-SO8)
BUK9535-55的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的热管理能力相结合,显著降低了在大电流应用中的功率损耗。其RDS(on)在VGS = 10V时仅为4.5mΩ,在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平,这使得器件在高负载条件下仍能保持较低的温升,从而提高系统整体效率并减少散热设计复杂度。此外,该器件在低栅极驱动电压下仍具备良好的导通性能,例如在VGS = 4.5V时RDS(on)仅为5.5mΩ,在VGS = 2.5V时也可达到7.3mΩ,这一特性使其兼容现代低电压逻辑控制器(如微控制器或PWM驱动器),无需额外的电平转换电路即可直接驱动,提升了系统的集成度和响应速度。
该器件采用LFPAK封装,这是一种无引线、双侧冷却的表面贴装封装技术,相比传统的TO-220或DPAK封装,具有更低的热阻(Rth(j-mb)典型值为1.5 K/W),能够更高效地将芯片热量传导至PCB,从而提升功率处理能力和长期可靠性。同时,LFPAK封装还具备优异的机械稳定性和抗振动能力,特别适合汽车和工业环境中的严苛应用。BUK9535-55的寄生参数经过优化,具有较低的栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qgd),有助于减少开关损耗,提高高频开关应用中的能效。其反向恢复电荷(Qrr)也较低,减少了体二极管在续流过程中的能量损耗,进一步提升了系统效率。
该器件符合RoHS标准,并通过了AEC-Q101车规级认证,确保其在高温、高湿、高振动等恶劣环境下仍能稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+175°C)使其适用于发动机舱内或靠近热源的电子模块。此外,NXP在其制造过程中采用了高质量的工艺控制和材料选择,保证了产品的一致性和长期可靠性。BUK9535-55还具备良好的雪崩耐受能力,能够在瞬态过压条件下保护自身及系统其他组件,增强了整体系统的鲁棒性。
BUK9535-55广泛应用于对效率和功率密度要求较高的场景。在汽车电子领域,它常用于车载充电机(OBC)、DC-DC转换器、电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)中的预充电和主接触器替代、以及车身控制模块中的高边或低边开关。其低RDS(on)和高电流能力使其成为48V轻混系统中理想的功率开关器件。在工业领域,该器件适用于电机驱动、伺服控制系统、PLC输出模块以及工业电源中的同步整流和负载开关。在消费类和通信电源中,BUK9535-55可用于笔记本电脑适配器、服务器VRM(电压调节模块)、USB PD快充电源以及电信设备的DC-DC电源模块。此外,由于其出色的热性能和可靠性,也常被用于无人机、电动工具和储能系统的功率控制电路中。其表面贴装封装便于自动化生产和回流焊工艺,适用于大规模制造。
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"IPB036N04LC",
"IRLHS3535",
"PSMN041-30YLC",
"AOZ12820CI"
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