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BUK9528-55A 发布时间 时间:2025/12/27 20:27:52 查看 阅读:58

BUK9528-55A是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻和优异的热性能而设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其额定电压为55V,连续漏极电流可达140A(在TC=25°C条件下),适用于需要高电流承载能力的中压应用。该MOSFET封装于LFPAK(也称Power-SO8)封装中,具有出色的散热性能和可靠性,相较于传统TO-220或DPAK封装,LFPAK封装提供了更低的热阻和更高的功率密度,同时支持自动化焊接工艺,适合现代高密度PCB设计。
  BUK9528-55A的关键优势之一是其极低的导通电阻RDS(on),在VGS=10V时最大值仅为2.8mΩ,在VGS=4.5V时也仅为3.7mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了系统整体效率。此外,该器件具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过载能力,增强了系统的鲁棒性。内部结构优化减少了栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),从而降低了开关损耗,使其在高频开关应用中表现优异。由于其优良的电气特性与坚固的封装设计,BUK9528-55A成为工业控制、汽车电子、服务器电源及可再生能源系统中的理想选择。

参数

型号:BUK9528-55A
  通道类型:N沟道
  漏源电压(VDSS):55V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID)@25°C:140A
  连续漏极电流(ID)@100°C:98A
  脉冲漏极电流(IDM):560A
  导通电阻(RDS(on))@VGS=10V:2.8mΩ
  导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V:3.7mΩ
  阈值电压(VGS(th))@ID=1mA:2.0V ~ 3.0V
  输入电容(Ciss)@VDS=25V:10200pF
  反向恢复时间(trr):28ns
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:LFPAK(PSO8)

特性

BUK9528-55A的低导通电阻特性是其最突出的优势之一,RDS(on)在VGS=10V时低至2.8mΩ,这意味着在大电流应用中能够显著减少I2R导通损耗,提升系统能效。例如,在100A的工作电流下,仅产生约28W的导通损耗,远低于传统MOSFET。这种低RDS(on)得益于NXP先进的TrenchMOS制造工艺,通过优化沟槽结构和掺杂分布,最大限度地降低单位面积的电阻值。同时,该器件在VGS=4.5V时仍能保持3.7mΩ的低导通电阻,表明其在逻辑电平驱动条件下依然具备优异性能,适用于由3.3V或5V控制器直接驱动的应用场景,如同步整流或负载开关。
  另一个关键特性是其卓越的热性能与封装可靠性。LFPAK封装采用铜夹连接(copper clip)技术替代传统的铝线键合,大幅降低了封装内部的寄生电阻和热阻,结到外壳的热阻(Rth(j-c))仅为0.65K/W,有助于快速将热量传导至PCB,提升功率处理能力。该封装还具备优异的机械稳定性和抗热循环疲劳能力,特别适合汽车和工业环境中频繁启停或温度剧烈变化的工况。此外,LFPAK封装尺寸紧凑(约6mm x 5mm),节省PCB空间,且引脚兼容标准SO-8封装,便于升级替换。
  电气可靠性方面,BUK9528-55A具备高雪崩耐量,能够承受因电感负载断开引起的电压尖峰,确保在异常工况下的安全运行。其栅极氧化层经过严格工艺控制,支持±20V栅源电压,提供足够的驱动裕度,并内置栅极保护二极管防止静电损伤。器件还具有较低的栅极电荷(典型Qg为85nC @ 10V),有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度,适用于高频PWM控制场合。同时,体二极管具有较短的反向恢复时间(trr=28ns),降低了反向恢复电荷(Qrr),从而减小了开关过程中的交叉导通损耗和电磁干扰(EMI),提升了系统稳定性。

应用

BUK9528-55A广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在汽车电子领域,它常用于车载充电机(OBC)、DC-DC转换器、电动助力转向(EPS)系统和电池管理系统(BMS)中的主开关或同步整流器。其宽工作温度范围(-55°C至+175°C)和高可靠性满足AEC-Q101汽车级认证要求,适应严苛的车辆运行环境。
  在工业电源系统中,该器件适用于大电流DC-DC降压变换器、服务器电源单元(PSU)和电信整流模块,作为初级侧或次级侧的开关元件。其低RDS(on)和高电流能力可有效减少并联MOSFET数量,简化电路设计并降低成本。此外,在电机驱动应用中,如无人机电调、电动工具和工业伺服驱动器,BUK9528-55A可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关,实现高效、快速的电机控制。
  在可再生能源领域,该MOSFET可用于太阳能微逆变器或储能系统的功率调节模块,执行最大功率点跟踪(MPPT)或电池充放电管理功能。其高频开关能力与低损耗特性有助于提高能量转换效率。此外,在高端消费电子设备中,如游戏主机或高性能笔记本电脑的VRM(电压调节模块)中,也可用作多相 buck converter 的下管或上管,提供稳定的CPU/GPU供电。得益于LFPAK封装的回流焊兼容性,非常适合自动化SMT生产线,提升制造效率与良率。

替代型号

IPB036N05L G
  PHB9528T,118
  SQJQ9528EP-T1-GE3
  FDBL028N05A

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BUK9528-55A参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 10 V
  • 漏极连续电流42 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.025 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间68 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散99 W
  • 上升时间125 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间64 ns
  • 零件号别名BUK9528-55A,127