类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：55 V
　　连续漏极电流（ID）：200 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：400 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：1.8 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：2.3 mΩ
　　栅极电荷（Qg）典型值：165 nC
　　输入电容（Ciss）典型值：10200 pF
　　输出电容（Coss）典型值：1980 pF
　　反向恢复时间（trr）：56 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：LFPAK（Power-SO8）

BUK9518-55的核心优势在于其极低的导通电阻与优异的热管理能力，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用NXP专有的TrenchMOS沟槽技术，通过优化晶胞结构和掺杂分布，在保持高击穿电压的同时大幅降低单位面积的导通电阻。实测数据显示，其在VGS=10V时RDS(on)最大仅为1.8mΩ，即便在较低驱动电压如4.5V下也能维持2.3mΩ的低阻水平，这意味着它可以兼容现代低压逻辑控制器（如微控制器或专用驱动IC），无需额外升压电路即可实现高效开关控制。此外，该器件的栅极电荷Qg典型值为165nC，属于同类产品中的领先水平，有助于减少开关过程中的驱动功耗，从而提升高频应用下的能效表现。
　　另一个关键特性是其采用的LFPAK封装技术。相比传统的TO-220或DPAK封装，LFPAK是一种底部冷却式表面贴装封装，具有更低的热阻（典型值约1.5 K/W），可直接将热量从芯片传递至PCB铜层进行有效散热。这种设计不仅提升了功率密度，还增强了机械稳定性和长期可靠性，特别适用于振动环境严苛的汽车电子系统。同时，LFPAK封装引脚间距更宽，降低了焊接桥接风险，提高了自动化生产的良率。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，避免因电感负载突变导致的器件损坏。此外，其高达200A的连续漏极电流承载能力，配合400A的脉冲电流耐受能力，使其适用于启动电流大、动态负载变化剧烈的应用场景，例如电动工具电机驱动或电动汽车辅助系统。综合来看，BUK9518-55在性能、可靠性和可制造性之间实现了良好平衡，是高功率密度设计的理想选择。

BUK9518-55因其卓越的电气和热性能，被广泛应用于多个高要求领域。在汽车电子方面，它常用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的预充电/主接触器替代、电机驱动模块以及LED照明电源单元。由于其工作温度可达175°C，完全满足汽车发动机舱内的高温运行需求，且具备AEC-Q101认证，确保了在车辆生命周期内的稳定性与安全性。在工业控制领域，该器件适用于伺服驱动器、PLC输出模块、UPS不间断电源及工业电源模块中，作为主开关元件实现高效能量转换。
　　此外，在消费类大功率设备中，如电动自行车控制器、电动滑板车、高端电动工具（如电钻、电锯）中，BUK9518-55凭借其高电流能力和快速响应特性，能够有效应对频繁启停和冲击负载带来的挑战。在通信基础设施中，该器件可用于服务器电源、基站电源模块中的同步整流或负载开关，帮助提升能效等级并降低系统温升。由于其支持表面贴装工艺，非常适合追求小型化和自动化生产的现代电子产品设计。在新能源系统中，如太阳能微型逆变器或储能系统的功率调节模块，BUK9518-55也能发挥其低损耗、高可靠性的优势，延长系统寿命并提高整体效率。总之，凡是需要在有限空间内实现高功率开关功能的场合，BUK9518-55都是一个极具竞争力的解决方案。

IPB015N05L MOSFET N-CH 55V 200A LFPAK33
　　PSMN015-55YLC,12 N-Channel TrenchMOS FET, 55 V, 200 A, 0.0015 ohm, LFPAK
　　IRLR6928PbF MOSFET N-CH 55V 200A POWERPAK 8X8
　　SQJ9518EY-T1-GE3 MOSFET N-CH 55V 200A LFPAK