BUK9514-30 时间：2025/12/27 21:36:03 阅读：10

BUK9514-30是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能MOSFET晶体管，采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件是一款N沟道增强型功率MOSFET，设计用于在高效率电源转换和功率开关应用中提供卓越的性能。其主要优势在于低导通电阻（RDS(on)）、高电流处理能力和优良的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的现代电子系统。BUK9514-30特别适合工作在高频率开关环境下的应用，例如DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动系统等。该器件封装在LFPAK（也称为Power-SO8）封装中，这种表面贴装封装形式具有优异的热性能和电气性能，能够有效降低寄生电感并提高功率密度。此外，LFPAK封装还支持自动化焊接工艺，增强了生产过程中的可靠性和一致性。BUK9514-30符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。由于其出色的参数表现，这款MOSFET被广泛应用于汽车电子、工业控制、电信电源及消费类电子产品中。

参数

型号：BUK9514-30
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30 V
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　最大连续漏极电流(ID)：227 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：680 A
　　导通电阻(RDS(on) max)：1.45 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻(RDS(on) max)：1.7 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压(VGS(th))：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容(Ciss)：10500 pF
　　输出电容(Coss)：3750 pF
　　反向恢复时间(trr)：26 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55 °C ~ +175 °C
　　封装形式：LFPAK (Power-SO8)

特性

BUK9514-30的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10 V时仅为1.45 mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效，尤其适用于大电流应用场景如服务器电源、电动工具和车载充电系统。该器件采用NXP成熟的TrenchMOS工艺，通过优化沟槽结构和掺杂分布，实现了载流子迁移率的最大化与导通电阻的最小化。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。LFPAK封装采用铜夹连接（copper clip）技术替代传统的键合线，大幅提升了散热效率和电流承载能力。与传统SO-8封装相比，LFPAK不仅减少了内部热阻（Rth(j-mb)），还能更有效地将热量传导至PCB，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，无引线封装设计减小了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压尖峰，提高EMI性能。
　　BUK9514-30还具备出色的动态性能。其输入电容（Ciss）为10500 pF，输出电容（Coss）为3750 pF，使得该器件在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的开关响应。反向恢复时间（trr）仅为26 ns，意味着体二极管具有较快的恢复速度，可减少续流过程中的能量损失，尤其在同步整流拓扑中表现优异。同时，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路等异常工况下维持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。其栅源电压范围为±20V，具备一定的过压容忍能力，并可通过标准逻辑电平（如5V或10V）有效驱动。此外，产品符合AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子系统中的高要求应用，如EPS（电动助力转向）、DC-DC变换器和电池管理系统。

应用

BUK9514-30广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括但不限于：服务器和通信设备中的大电流DC-DC降压转换器，其中多个BUK9514-30可并联使用以满足数百安培的输出需求；电动汽车和混合动力汽车中的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电机控制器，得益于其低RDS(on)和优良热性能；工业电机驱动系统，用于H桥或半桥拓扑中的功率开关元件，实现高效的能量转换与精确的速度控制；太阳能逆变器和储能系统中的同步整流模块，提升整体转换效率；高端计算设备和图形处理器供电模块（VRM），支持动态负载变化下的稳定输出；此外，还可用于电动工具、无人机电源系统和高亮度LED驱动电源等领域。其LFPAK封装便于自动化贴装，适合大规模量产环境，进一步拓展了其在消费电子和工业制造中的应用前景。