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BUK9510-100B 发布时间 时间:2025/7/12 19:42:34 查看 阅读:17

BUK9510-100B是一款由安森美(onsemi)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用TO-263-3封装形式,具备出色的电气性能,适合于工业、汽车以及消费电子领域的电源管理电路。
  BUK9510-100B的设计目标是为高频率开关应用提供优化的动态性能和热性能,同时确保较低的总功耗。其典型应用场景包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:8.4A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

BUK9510-100B具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 强大的散热性能,能够承受较高的结温。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  5. 内部设计经过优化,可以有效降低寄生电感 提供稳健的短路保护功能,延长器件使用寿命。
  总体而言,这款MOSFET以其卓越的电气特性和可靠性著称,适合在多种复杂环境中使用。

应用

BUK9510-100B广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. 各类DC-DC转换器,用于电压调节和能量传输。
  3. 电机控制和驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  其高性能和可靠性使其成为许多设计工程师的理想选择。

替代型号

BUK9505-100B
  IRLB8721PBF
  AO3400

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BUK9510-100B参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 15 V
  • 漏极连续电流75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0097 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间94 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散300 W
  • 上升时间110 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间250 ns
  • 零件号别名BUK9510-100B,127