类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：55 V
　　连续漏极电流（ID）：145 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：370 A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：6.8 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：9.7 mΩ
　　输入电容（Ciss）：5300 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：32 ns
　　最大功耗（Ptot）：140 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：LFPAK (Power-SO8)

BUK9508-55的最显著特性之一是其极低的导通电阻，在VGS = 10V时典型值仅为6.8mΩ，这大大降低了在大电流应用中的传导损耗，提升了系统整体效率。该特性使其非常适合用于同步整流、负载开关和高电流DC-DC降压变换器等对能效要求极高的场合。此外，其在VGS = 4.5V下的RDS(on)也控制在9.7mΩ以内，表明该器件即使在较低的驱动电压下仍能保持良好的导通性能，兼容3.3V或5V逻辑电平的控制器，增强了系统的通用性和设计灵活性。
　　另一个关键特性是其采用的LFPAK封装技术。LFPAK是一种改良型的表面贴装封装，相比传统的穿孔式封装如TO-220或DPAK，具有更优的热传导路径和更低的封装寄生电感。通过将铜片直接连接到芯片顶部，实现了更高效的散热能力，允许器件在更高的功率密度下稳定运行。同时，该封装支持回流焊工艺，便于自动化生产，提高组装良率并降低成本。此外，LFPAK封装还具备较高的机械强度和可靠性，适用于汽车电子和工业控制等严苛环境。
　　该MOSFET还表现出优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，从而在高频开关应用中实现更高的效率。其反向恢复时间较短，减少了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题，提升了系统稳定性。此外，器件具有较高的雪崩耐量和坚固的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和浪涌电流冲击，增强了鲁棒性。最后，其宽广的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端温度环境下可靠运行，特别适合汽车动力总成、电动工具和工业电源等应用场景。

BUK9508-55广泛应用于多种高效率电源管理系统中。在通信电源和服务器主板中，常被用作同步整流MOSFET，配合控制器实现高效的DC-DC降压转换，满足多相VRM（电压调节模块）对低电压、大电流供电的需求。在电池管理系统（BMS）和便携式设备中，它作为负载开关或电源路径控制器，提供快速响应和低功耗关断功能，延长设备续航时间。此外，在电机驱动电路中，例如无人机电调、电动工具和家用电器中，BUK9508-55可用于H桥或半桥拓扑结构，控制电机的启停和转向，其低导通电阻可有效减少发热，提升驱动效率。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车身控制模块、车载充电器、DC-DC转换器和LED照明驱动等应用。由于其符合AEC-Q101车规级认证，能够在振动、高温和潮湿等恶劣条件下长期稳定工作，因此受到汽车制造商和一级供应商的青睐。同时，在工业自动化设备中，如PLC控制器、伺服驱动器和UPS不间断电源系统中，BUK9508-55凭借其高可靠性和优良热性能，成为功率开关的优选方案。此外，它还可用于太阳能微逆变器、储能系统和智能电表等绿色能源与智能电网相关产品中，助力实现节能减排目标。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低压大电流开关应用，BUK9508-55都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "IPB015N05L3 G",
　　 "IRLR8726",
　　 "PSMN022-55YLB",
　　 "FDS4558"
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