BUK9507-30 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。它采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种功率转换和电机驱动应用。该器件的工作电压范围较宽,最大漏源极电压为30V,能够满足多种低压应用场景的需求。
BUK9507-30采用TO-263(DPAK)封装形式,便于表面贴装和散热设计,广泛用于直流-直流转换器、负载开关、电机控制以及电源管理等电路中。
最大漏源极电压:30V
最大栅源极电压:±20V
连续漏极电流:38A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗,提高效率。
2. 快速开关性能,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
4. 内置ESD保护功能,提升了器件的抗静电能力。
5. 支持高密度表面贴装,简化了PCB布局和生产流程。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
3. 汽车电子系统中的电机驱动和继电器替代。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 各类消费电子产品的电源管理和信号切换电路。
6. 多相降压转换器中的同步整流开关。
IRLZ44N, FDP5500, AO3400