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BUK9237-55 发布时间 时间:2025/12/27 21:13:52 查看 阅读:6

BUK9237-55是NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的TrenchMOS技术制造,专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件具有极低的导通电阻(RDS(on))和优化的栅极电荷特性,能够在中等电压范围内提供卓越的开关性能和导通损耗表现。BUK9237-55的标称漏源击穿电压V(BR)DSS为55V,适用于工作电压在40V以下的DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等场景。其封装形式为TO-220,具备良好的热稳定性和机械强度,适合工业级和汽车级应用环境。该器件符合RoHS标准,并通过了AEC-Q101车规认证,确保在严苛工作条件下的长期可靠性。

参数

类型:N沟道
  极性:增强型
  漏源电压V(BR)DSS:55 V
  连续漏极电流ID(@25°C):165 A
  脉冲漏极电流IDM:550 A
  导通电阻RDS(on)(max @ VGS=10V):3.7 mΩ
  导通电阻RDS(on)(max @ VGS=4.5V):5.5 mΩ
  栅极阈值电压VGS(th):2.0 V ~ 3.0 V
  输入电容Ciss:6300 pF
  输出电容Coss:1400 pF
  反向传输电容Crss:180 pF
  总栅极电荷Qg(@10V):155 nC
  功耗PD:280 W
  工作结温范围:-55 °C ~ +175 °C
  封装:TO-220

特性

BUK9237-55采用NXP先进的TrenchMOS沟槽技术,实现了极低的导通电阻与优异的开关特性的平衡。在VGS=10V时,其最大RDS(on)仅为3.7mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,特别适用于大电流应用场景,如服务器电源、电动工具和车载充电系统。该器件在VGS=4.5V时仍能保持5.5mΩ的低导通电阻,表明其具备良好的低压驱动能力,可兼容3.3V或5V逻辑电平控制电路,无需额外的电平转换或驱动IC即可直接由微控制器驱动,从而简化系统设计并降低成本。
  该MOSFET的栅极电荷Qg典型值为155nC(@10V),这一低Qg特性有助于减少开关过程中的驱动损耗和开关时间,提升整体系统效率,尤其是在高频开关应用中表现突出。同时,其输入电容Ciss为6300pF,输出电容Coss为1400pF,反向传输电容Crss为180pF,这些电容参数经过优化,有效抑制了米勒效应,降低了串扰风险,提高了在半桥或全桥拓扑中的稳定性。此外,器件具备较低的反向恢复电荷Qrr和体二极管正向压降VSD,使其在需要体二极管导通的场合(如续流路径)也能保持较高效率。
  BUK9237-55的热性能优异,TO-220封装提供了良好的散热能力,允许在自然对流条件下实现高达280W的功耗耗散。其宽广的工作结温范围(-55°C至+175°C)使其可在极端环境温度下稳定运行,适用于汽车引擎舱、工业电机控制等高温场景。器件通过AEC-Q101认证,满足汽车电子对可靠性的严格要求,可用于车载DC-DC转换器、电动助力转向系统(EPS)和车载娱乐电源管理模块。此外,该器件具有高雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态过压或感性负载切换时的鲁棒性,进一步提升了系统安全性。

应用

BUK9237-55广泛应用于需要高效、大电流开关能力的电源系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC变换器,特别是在多相电压调节模块(VRM)中用于CPU或GPU供电,其低RDS(on)可显著降低传导损耗,提高整体能效。在工业电源系统中,该器件常用于48V转12V中间母线转换器,满足通信基站和数据中心的高密度电源需求。由于其支持高脉冲电流(IDM达550A),也适用于电动工具、无人机和电动自行车中的电机驱动电路,作为H桥或半桥拓扑的主开关元件。
  在汽车电子领域,BUK9237-55被用于车载充电机(OBC)、DC-DC升压/降压转换器、LED照明驱动和电池管理系统(BMS)中的主动均衡电路。其AEC-Q101认证和宽温工作能力使其成为汽车级应用的理想选择。此外,在便携式设备和消费类电子产品中,该器件可用作负载开关或热插拔控制器,实现对子系统的电源通断控制,防止浪涌电流损坏主电源。在太阳能逆变器和储能系统中,BUK9237-55也可用于低电压侧的功率开关,配合MPPT控制器实现高效的能量转换。其高可靠性和稳健的短路与过温保护特性,使其在长时间连续运行的工业和能源系统中表现出色。

替代型号

[
   "IPB036N05L",
   "IRF1404ZPbF",
   "PSMN022-55YLC",
   "FDD8870",
   "STP165NF55"
  ]

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