时间：2025/9/14 16:07:04
阅读：6
BUK9217-75B,118 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种高效率电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，使其非常适合用于高电流应用。该型号采用 TO-220 封装，适用于通用开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（典型值）
功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
BUK9217-75B,118 的核心特性在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使得该器件在大功率应用中能够实现更低的功率损耗和更高的效率。其 Rds(on) 典型值为 8.5mΩ，能够在高负载条件下提供稳定的性能。此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，从而提升整体系统效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，进一步优化了电气性能，并具有良好的热稳定性。TO-220 封装设计使其具备良好的散热能力，适用于高功率密度应用。此外，BUK9217-75B,118 还具备出色的短路和过载保护能力，能够有效提高系统的可靠性。
由于其高栅极电压容限（±20V），BUK9217-75B,118 可以与多种驱动电路兼容，简化了设计流程。该器件的热阻较低，有助于减少工作时的温升，延长使用寿命。
BUK9217-75B,118 主要用于需要高效功率转换和管理的场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化控制系统。此外，该 MOSFET 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统等，能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行。
在服务器和电信电源系统中，该器件也常用于提高能效和降低热管理成本。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
IRF1405, STP60NF06, FDP6030L, SiHH60N8LT
