BUK92150-55A 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。
该MOSFET的额定电压为55V,适合在中等电压应用中使用。其设计旨在提供高效的功率管理解决方案,同时保持较小的封装尺寸,从而节省电路板空间。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:38A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:47nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-263 (D2PAK)
BUK92150-55A 提供了非常低的导通电阻(典型值为4.5mΩ),这使其非常适合于需要高效功率传输的应用场景。此外,其较高的持续漏极电流能力(38A)确保了在大负载条件下仍能稳定运行。
该器件还具有出色的热稳定性,能够在高达175℃的工作结温下可靠运行,这对于高功率密度设计非常重要。
由于采用了TO-263封装,BUK92150-55A不仅提供了良好的散热性能,还易于安装和集成到现有PCB布局中。
另外,该MOSFET具备快速开关特性,能够显著减少开关损耗,从而提高整体效率并降低系统的热量产生。
BUK92150-55A 常用于直流-直流转换器、负载开关、电机控制、不间断电源(UPS)、逆变器以及电池管理系统等应用领域。
在DC-DC转换器中,该器件可作为主功率开关来实现高效的电压调节。对于电机驱动应用,它能够承受启动时的大电流冲击,并维持稳定的输出。
此外,在电池保护系统中,这款MOSFET可以起到关键作用,防止过流或短路情况的发生,从而保护整个系统免受损害。
IRLB8748PBF
STP36NF06L
FDP55N06L