时间：2025/9/14 23:22:57
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BUK92150-55A,118是一款由NXP Semiconductors（原飞利浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高效率的开关应用。该器件属于逻辑电平MOSFET类别，意味着它可以在较低的栅极电压下工作，适合与微控制器或数字电路直接连接。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏-源电压（VDS）：55V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK92150-55A具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有出色的效率表现。该器件采用先进的TrenchMOS技术，确保在高温和高电流条件下仍能保持稳定运行。
其封装设计提供了良好的热管理和电气性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。此外，该MOSFET具备较高的耐用性和可靠性，在恶劣环境中也能保持稳定的电气特性。
由于其逻辑电平驱动特性，BUK92150-55A可直接由微控制器或其他数字电路控制，无需额外的栅极驱动器，从而简化了系统设计并降低了整体成本。
该器件还具备良好的短路耐受能力，可以在一定程度上防止因意外短路而导致的损坏，提高系统的稳定性与安全性。
BUK92150-55A广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源适配器以及高性能开关电源（SMPS）等场景。
在电动汽车和新能源领域，该MOSFET也常用于车载充电器、能量回收系统和逆变器中。此外，它也适用于高电流LED驱动器和服务器电源等对效率和散热有高要求的应用场景。
IRF1405, STD150N55F7AG, SiHH150N55E
