时间：2025/9/14 20:19:41
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BUK9214-30A,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低损耗和高可靠性应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种工业和汽车电子系统中。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25°C时）
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
引脚数：3
技术：TrenchMOS
湿度敏感度：等级1
符合RoHS标准：是
BUK9214-30A,118 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备高电流承载能力和出色的热稳定性，能够在高负载条件下稳定工作。其采用TrenchMOS技术，不仅提高了沟道密度，还优化了电场分布，从而增强了器件的耐压能力。该MOSFET的封装形式（TO-220AB）具备良好的散热性能，有助于快速将热量传导至外部散热器，确保器件在高功耗应用中保持较低的工作温度。此外，其±20V的栅极电压耐受能力使其适用于多种栅极驱动电路，提高了设计灵活性。
在可靠性方面，BUK9214-30A,118 通过了严格的工业标准测试，具备优异的雪崩能量耐受能力，可在高应力条件下保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）也使其适用于极端环境下的工业和汽车应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的现代电子设备设计。
BUK9214-30A,118 主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及各种工业自动化和控制系统。此外，由于其优异的热性能和高电流能力，该MOSFET也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、起停系统、电动助力转向系统（EPS）和电池保护电路等。
在电源转换系统中，BUK9214-30A,118 可作为主开关器件，用于高效能的同步整流或功率开关，其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗，提高转换效率。在电机控制和驱动电路中，该器件能够承受高瞬态电流，确保电机运行的稳定性和响应速度。同时，其高可靠性也使其适用于对安全性和稳定性要求较高的工业和汽车环境。
IPD120N30N3 G 英飞凌
IRF1324S-7PPBF 国际整流器
FDD1324-F085 安森美
BUK9218-30A,118 NXP
