时间：2025/9/14 16:54:25
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BUK9207-30B,118 是由NXP Semiconductors生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高可靠性的功率开关场景。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及汽车电子等多种应用领域。BUK9207-30B封装为TO-220，便于散热，适合高电流应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值5.2mΩ（Vgs=10V时）
功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
安装类型：通孔
技术：Trench沟槽技术
BUK9207-30B,118 的最大特点在于其极低的导通电阻，在VGS为10V时，RDS(on)最大值仅为5.2mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高整体效率。该器件采用了先进的Trench沟槽结构技术，提高了单位芯片面积上的电流密度，同时优化了电场分布，使得器件具有更优异的短路耐受能力和热稳定性。
此外，BUK9207-30B具备良好的热性能，TO-220封装形式有助于快速散热，确保在高负载条件下依然保持稳定工作。该器件的栅极驱动电压范围宽广，可在4.5V至20V之间正常工作，适用于多种驱动电路设计，包括使用MCU直接驱动的情况。
其高可靠性也使其适合在恶劣环境下工作，例如在汽车电子系统中，能够承受频繁的热循环和机械振动。该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，适用于开关过程中可能出现高能量瞬态冲击的场合。
BUK9207-30B,118 常用于高电流开关应用，如同步整流DC-DC降压或升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统、工业自动化控制、UPS不间断电源以及电动汽车中的功率模块等。
在汽车应用中，它可被用于车灯控制、电动助力转向系统、车载充电器（OBC）以及电池保护电路等。由于其出色的导通性能和热稳定性，特别适合用于需要高效、小型化设计的电源系统中。
IRF1404, SiR1000DG-T1-GE3, BSC090N03MS G, IPW90R120P6
