时间：2025/12/27 21:44:06
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BUK854-500IS是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和电机控制等电力电子领域。该器件采用先进的Trenchstop技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适合在高负载和高温环境下稳定运行。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于在印刷电路板上进行表面贴装，同时具备良好的散热性能。BUK854-500IS特别适用于需要高可靠性和高能效的应用场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及工业控制系统中的功率开关模块。
该MOSFET的额定电压为500V，能够承受较高的电压应力，确保在高压应用中的安全运行。其低栅极电荷和低输出电容设计有效降低了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，器件内部集成了快速恢复体二极管，可在感性负载关断时提供可靠的续流路径，减少电压尖峰和电磁干扰。英飞凌在其生产过程中采用了严格的质量控制标准，确保每颗芯片都具备一致的电气性能和长期可靠性。BUK854-500IS还具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。
型号：BUK854-500IS
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500 V
最大漏极电流（Id）：14 A
最大功耗（Ptot）：110 W
导通电阻（Rds(on)）：0.5 Ω @ Vgs = 10 V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0 ~ 4.0 V
输入电容（Ciss）：1200 pF
输出电容（Coss）：230 pF
反向恢复时间（trr）：55 ns
工作温度范围：-55 ~ +150 ℃
封装类型：TO-263 (D2PAK)
