时间：2025/9/14 17:30:16
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BUK7Y9R9-80E 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具备优异的导通电阻（Rds(on)）性能和快速开关特性。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），这种封装具备良好的热管理和高可靠性，适合在空间受限和高功率密度的环境中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：200A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：9.9mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（无铅、符合 RoHS 标准）
BUK7Y9R9-80E 具有极低的导通电阻，使其在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，提供卓越的开关性能和热稳定性。
该 MOSFET 的 LFPAK56 封装形式具有双面散热能力，有助于提高热管理效率，适用于高功率密度设计。此外，该封装无引脚，减少了封装寄生电感，提高了高频开关性能。
该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，可在严苛的工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。同时，其栅极驱动要求较低，适用于广泛的功率控制应用，包括同步整流、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。
BUK7Y9R9-80E 还具备出色的抗短路能力，能够在短暂的短路条件下维持正常运行，从而提高系统的安全性和稳定性。该器件还符合 AEC-Q101 汽车级认证，适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。
BUK7Y9R9-80E 主要应用于高性能电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、工业电源模块和DC-DC转换器。由于其低导通电阻和高电流能力，它也非常适合用于电机驱动、电池管理系统（BMS）以及高功率负载开关控制。
此外，该MOSFET广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V轻混系统、电动助力转向（EPS）系统和车载DC-DC转换器。由于其符合AEC-Q101标准，BUK7Y9R9-80E在汽车应用中表现出色，能够承受恶劣的温度和机械应力环境。
在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器和储能系统，该MOSFET可作为主开关或同步整流器使用，以提高整体系统的效率和可靠性。其快速开关特性和高热稳定性也使其适用于高频功率转换器和高频开关电源设计。
IRF150N, BSC090N08NS5, BUK7K10-80E
