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BUK7Y7R2-60EX 发布时间 时间:2025/9/14 18:12:16 查看 阅读:4

BUK7Y7R2-60EX 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET专为高效率、高电流应用而设计,适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等场景。其主要特点是低导通电阻(RDS(on)),能够减少导通损耗,提高整体系统效率。该器件采用高性能的TrenchFET技术,具有良好的热稳定性和较高的可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):160A
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):7.2mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

BUK7Y7R2-60EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),仅为7.2毫欧,这使得在高电流条件下,MOSFET的功率损耗显著降低,从而提高了整体系统的能效。
  此外,该MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,这种技术能够提供更高的沟道密度和更低的导通电阻,同时保持良好的热稳定性,确保在高温环境下也能可靠运行。
  该器件的封装形式为TO-220AB,这种封装方式具有良好的散热性能和机械强度,适合在高功率密度应用中使用。TO-220AB封装也便于安装散热片,以进一步提升散热效果。
  BUK7Y7R2-60EX的栅极驱动电压范围为±20V,这意味着它可以与标准的逻辑电平驱动器兼容,同时也支持增强型驱动方案,从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
  在可靠性方面,该MOSFET经过严格的设计和测试,能够在极端温度条件下稳定工作,其工作温度范围为-55°C至175°C,这使其非常适合在汽车和工业环境中使用,尤其是在高温环境下长时间运行的应用场景。
  此外,BUK7Y7R2-60EX还具备良好的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,这对于需要应对突发负载或故障条件的系统来说非常重要。

应用

BUK7Y7R2-60EX 适用于多种高功率和高效率需求的应用场景。在汽车电子领域,该器件可用于电动助力转向系统(EPS)、电动空调压缩机、电池管理系统(BMS)以及车载充电器(OBC)等关键系统中,其低导通电阻和高可靠性确保了这些系统在高负载条件下依然能够稳定运行。
  在工业控制方面,BUK7Y7R2-60EX 可用于伺服驱动器、变频器、电机控制器以及电源模块等设备中,其优异的导热性能和耐高温能力使其能够在严苛的工业环境中保持稳定性能。
  在电源管理系统中,该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池保护电路等场合,其低RDS(on)特性有助于提升转换效率,减少发热,延长设备使用寿命。
  此外,该器件也可用于电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制器等,其高电流承载能力和快速开关特性使其在高动态响应的电机控制系统中表现出色。
  对于需要高可靠性和高效率的嵌入式电源系统,BUK7Y7R2-60EX 也是一个理想的选择,例如工业自动化设备、测试与测量仪器、医疗设备电源等应用场景。

替代型号

IPB016N06N3, FDP160N65F, STP160N6F6

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BUK7Y7R2-60EX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1,500 : ¥5.06478卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)167W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669