时间：2025/9/13 21:04:50
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BUK7Y7R0-40HX是一款由NXP Semiconductors生产的高性能功率MOSFET，主要用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用了先进的TrenchPlus技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，使其在高负载条件下依然能够保持稳定工作。其封装形式为LFPAK56，具有优异的热管理和机械强度，适合在空间受限的环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：150A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：最大值0.70mΩ（典型值0.55mΩ）
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56
BUK7Y7R0-40HX具有多项突出特性，首先是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用的TrenchPlus技术不仅提升了导通性能，还增强了器件的耐用性和可靠性。
其次，该MOSFET采用LFPAK56封装，具备出色的热管理能力，能够有效散热，从而在高负载环境下维持较低的工作温度。此外，该封装形式无引线设计，减少了寄生电感，提升了开关性能。
另外，BUK7Y7R0-40HX具备较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面表现优异，适用于需要高功率密度的设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）也使得该器件能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车及通信电源等高要求应用场景。
BUK7Y7R0-40HX广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中，包括DC-DC转换器、服务器电源、电池管理系统、电机控制、负载开关以及汽车电子系统等。尤其在需要高电流和低导通损耗的电源转换应用中，如服务器和通信设备的电源模块，BUK7Y7R0-40HX能够提供卓越的性能。此外，该器件也适用于电动车辆和混合动力汽车中的功率管理系统，确保在高负载条件下的稳定运行。
SiZ104DT, BSC090N04LS, FDS4410A
