时间：2025/9/13 22:09:37
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BUK7Y72-80E 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，广泛用于工业控制、电源转换、汽车电子、电机驱动以及开关电源等领域。BUK7Y72-80E 采用先进的 Trench MOS 技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，能够承受较高的工作温度和大电流负载。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：72A（在 25°C）
最大漏-源电压（VDS）：80V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻 RDS(on)：典型值为 3.8mΩ（在 VGS = 10V）
功率耗散（PD）：200W（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
BUK7Y72-80E 具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，尤其适用于大电流工作环境。其次，该器件采用 Trench MOS 工艺技术，使得在高电压下仍能保持良好的开关性能，降低开关损耗。
该 MOSFET 的热阻较低，使得在高功率运行时能够有效散热，提升器件的可靠性和稳定性。此外，其最大工作温度可达 175°C，适用于高温环境下的应用，如汽车电子中的电机驱动或电源管理系统。
BUK7Y72-80E 还具有较强的短路耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，避免因过载或短路导致的器件损坏。这使得它特别适用于需要高可靠性的应用场景，如工业自动化设备、不间断电源（UPS）和电动车辆的功率系统。
该器件的封装形式为 TO-220AB，具有良好的机械稳定性和易于安装的特点，适用于标准的 PCB 布局和散热器安装。此外，±20V 的栅极电压容限使其在使用中更加灵活，兼容多种驱动电路。
BUK7Y72-80E 适用于多种高功率和高频开关应用，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
在开关电源中，该 MOSFET 可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少发热。在电机控制和电机驱动器中，其低导通电阻和高电流能力使其能够有效驱动大功率电机，适用于工业机器人、自动化生产线和电动车控制系统。
在汽车电子领域，BUK7Y72-80E 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统，提供稳定的功率控制和保护功能。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可作为功率开关，提高能源转换效率。
由于其优异的热性能和可靠性，该器件也常用于高功率 LED 驱动器、服务器电源和通信设备电源模块等应用中。
IRF2807-7PbF, IPW90R120C3, BUK7Y75-80E
