时间：2025/9/14 21:54:00
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BUK7Y65-100E 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和可靠性的工业及汽车应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：650V
导通电阻（Rds(on)）：100mΩ
栅极电荷（Qg）：215nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
BUK7Y65-100E 具备多项出色的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件能够承受高达 650V 的漏源电压，使其适用于高电压工作环境。该 MOSFET 的高电流处理能力（高达 100A）确保了在高负载条件下的稳定运行。BUK7Y65-100E 采用了先进的 TrenchMOS 工艺，提供了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，同时优化了开关性能，降低了开关损耗。
该器件的封装形式为 TO-247，这种封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，BUK7Y65-100E 还具备出色的短路耐受能力和过温保护特性，从而增强了系统的可靠性和安全性。该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的损耗，提高开关速度。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其能够在严苛的环境条件下稳定工作。
BUK7Y65-100E 主要应用于需要高电压和大电流处理能力的电力电子设备中。常见的应用包括工业电源、电动车辆（EV）充电系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。由于其具备高可靠性和优异的热管理能力，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。此外，BUK7Y65-100E 还可用于高性能电源转换器和 DC-DC 转换器设计，以提高能效和系统稳定性。
STP100N65FZ, IPP100N65CFXKSA1
