时间：2025/9/15 4:10:38
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BUK7Y3R5-40E 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用先进的TrenchPlus技术，提供低导通电阻和高效率的功率控制能力。该器件广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。其设计旨在满足对高能效和小型化封装的需求，是工业和汽车电子系统中理想的功率开关元件。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：160A（最大）
漏源电压（VDS）：40V
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（最大，典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：250W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7Y3R5-40E MOSFET采用了NXP先进的TrenchPlus技术，使得该器件在保持低导通电阻的同时，还具备优异的开关性能和热稳定性。其超低的RDS(on)值确保了在大电流应用中功耗最小化，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供可靠的性能。
这款MOSFET的封装设计优化了散热性能，适用于高功率密度设计。其TO-220封装便于安装在散热片上，从而提高热管理效率。此外，BUK7Y3R5-40E还具备良好的抗短路能力，使其在电机驱动和电源转换应用中表现出色。
BUK7Y3R5-40E广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备、电源供应器以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于需要高效能功率开关的场合。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也能发挥出色性能。
IPB015N04LC, SQJQ160EP, BSC035N04LS
