BUK7Y2R0-40HX是一款由Nexperia(安世半导体)生产的功率MOSFET,采用先进的Trench肖特基技术,具备低导通电阻和高能效的特点。该器件广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统,例如在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中。BUK7Y2R0-40HX采用小型DFN2020封装,适用于表面贴装技术(SMT),能够有效减少PCB面积并提高集成度。其设计目标是在高开关频率和高负载条件下提供卓越的性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.7A
导通电阻(Rds(on)):2.0mΩ
功耗(Pd):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:DFN2020
BUK7Y2R0-40HX的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),仅为2.0mΩ,这使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的能效。
此外,该MOSFET采用了Trench肖特基技术,进一步优化了开关性能,降低了开关损耗,适用于高频率开关应用。
其DFN2020封装不仅体积小巧,还具有良好的热性能,确保在高功率密度设计中具备优异的散热能力。
该器件支持表面贴装工艺,有助于简化PCB组装流程,提升生产效率,并增强产品的可靠性。
BUK7Y2R0-40HX具有宽泛的栅极电压范围(±20V),使其适用于多种驱动电路,并具备较强的抗干扰能力。此外,其高雪崩能量耐受能力也确保了在突发过压条件下的稳定运行。
BUK7Y2R0-40HX广泛应用于多个领域,特别是在对空间和效率有较高要求的便携式设备和嵌入式系统中。
在汽车电子领域,该器件可用于车载电源管理系统、LED照明驱动以及电池管理模块,帮助实现更高效的能源利用。
在工业控制方面,该MOSFET适用于电机驱动、传感器模块、PLC系统和各种电源转换设备,例如DC-DC转换器和同步整流器。
在消费类电子产品中,BUK7Y2R0-40HX可被用于智能手机、平板电脑、无线充电设备以及各类便携式充电器,提供稳定可靠的功率控制解决方案。
此外,它也可用于通信设备中的电源模块,支持高频率、高效率的开关电源设计。
BUK9Y2R0-40P, BUK9Y2R0-40E, BUK7K2R0-40H