BUK7Y22-100EX是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET,专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和优异的热性能。它广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制、负载开关以及汽车电子等领域。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id)@25°C:120A
功耗(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-220AB
导通电阻(Rds(on))@10V Vgs:3.7mΩ
输入电容(Ciss):3000pF
阈值电压(Vgs(th)):2.0V至4.0V
BUK7Y22-100EX具备多项先进的性能特性,首先其极低的导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用TrenchMOS技术,使得在相同芯片尺寸下实现了更高的电流承载能力与更低的导通压降。
其次,该MOSFET具有较高的栅极电荷(Qg),适合用于中高频率开关应用,同时具备良好的抗雪崩能力和过载能力,增强了器件的可靠性。
此外,该器件采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能,适合在高温环境下运行,并具备良好的机械稳定性和焊接可靠性。其宽广的工作温度范围也使其适用于工业和汽车应用中的严苛环境。
BUK7Y22-100EX还具备快速开关特性,能够减少开关损耗,提高系统响应速度。同时,其较低的输入电容也有助于减小驱动电路的负担,提高整体系统的稳定性与效率。
BUK7Y22-100EX广泛应用于多种高功率和高效率场景中,例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统(BMS)、工业自动化控制系统、服务器电源模块以及新能源汽车中的功率管理系统等。
在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)、DC-AC逆变器及车载娱乐系统的电源管理模块。由于其优异的热性能和高可靠性,也适用于要求较高的工业电源、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等应用场景。
此外,BUK7Y22-100EX也可用于高性能电源适配器、智能电表、储能系统以及各种需要高效率功率开关的场合。
IRF1405, IPB015N10N3, FDP140N10A, BSC090N10NS5