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BUK7Y20-30B 发布时间 时间:2025/9/14 20:51:23 查看 阅读:26

BUK7Y20-30B 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高效率功率转换应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统等。BUK7Y20-30B 采用了先进的 Trench MOS 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和过载保护能力,适用于各种高功率和高可靠性要求的工业和汽车电子应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):20A
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大值为 7.5mΩ(典型值为 5.5mΩ)
  功率耗散(Ptot):100W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220AB

特性

BUK7Y20-30B 的核心特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on),这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其 Rds(on) 值在典型条件下仅为 5.5mΩ,即使在高负载条件下也能保持良好的性能。
  此外,该 MOSFET 采用了先进的 Trench MOS 工艺,使得其在高频率开关应用中表现出色,能够有效减少开关损耗,提高整体系统响应速度和效率。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的 10V 和 12V 驱动电压,同时具备良好的抗干扰能力,适用于复杂电磁环境下的工业控制系统。
  BUK7Y20-30B 还具备较强的热稳定性和过载保护能力。其封装设计支持良好的散热性能,能够在高功率密度设计中保持较低的工作温度,从而提升长期运行的可靠性和寿命。
  该 MOSFET 支持广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适用于严苛环境条件下的应用,例如汽车电子、工业自动化和可再生能源系统。

应用

BUK7Y20-30B 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电子系统中。其主要应用领域包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统(BMS)以及各种工业自动化设备。
  在汽车电子领域,该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电动水泵和空调压缩机控制等关键部件,提供稳定高效的功率控制解决方案。
  在可再生能源领域,BUK7Y20-30B 可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中,帮助提升能源转换效率并降低系统功耗。
  由于其优异的导通特性和热管理能力,BUK7Y20-30B 也常用于高负载的工业电源和电机驱动系统中,适用于自动化生产线、机器人控制和高性能电源模块的设计。

替代型号

BUK7Y20-30E, BUK7Y21-30B, BUK7K20-30B

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