时间：2025/9/14 12:43:47
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BUK7Y1R4-40HX是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的高性能N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效率功率开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench技术，使其在高频率开关应用中表现优异。BUK7Y1R4-40HX广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及工业控制系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：200A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK7Y1R4-40HX具备一系列出色的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。该器件采用了Nexperia的先进Trench MOSFET技术，确保了在高频开关操作下的稳定性能。
此外，BUK7Y1R4-40HX的高电流承载能力（最高可达200A）使其适用于高功率密度的设计，例如服务器电源、电动工具、电池管理系统和工业电机驱动。
该MOSFET具有极低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高响应速度。同时，其较高的雪崩能量承受能力也增强了器件在严苛工作条件下的可靠性。
在封装方面，TO-263（D2PAK）是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于自动化生产和高可靠性应用。
BUK7Y1R4-40HX适用于多种功率电子系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理单元以及电机控制电路。在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统和电池保护电路。此外，它也广泛应用于服务器和通信设备的高效电源模块中。
由于其优异的导通特性和热稳定性，BUK7Y1R4-40HX也常用于高功率LED驱动、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。
在新能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块等应用，提供高效率和高可靠性的功率开关解决方案。
IPB021N10N3 G、IRF1405、STP200N4F5AG、FDMS7610
