BUK7Y18-75B,115是一款由Nexperia(原飞利浦半导体业务)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、低导通电阻和高可靠性而设计,适用于广泛的电源管理和功率转换应用。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术,提供了优异的热性能和电流处理能力。其封装形式为TO-220AB,便于散热和安装。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):75V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID)@25°C:180A
最大导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ @ VGS=10V
阈值电压(VGS(th)):2.0V~4.0V
功率耗散(PD):310W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装:TO-220AB
BUK7Y18-75B,115是一款高性能功率MOSFET,采用了Nexperia先进的TrenchMOS技术,具有极低的导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。这种设计使其在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率。
该器件的最大漏源电压为75V,适用于中低压功率转换应用。其连续漏极电流在25°C下可达180A,具备出色的电流处理能力。由于采用了先进的封装技术,该MOSFET的热阻较低,有助于提高散热效率,延长器件寿命。
此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅源电压,使得其在不同的驱动条件下都能保持稳定工作。阈值电压在2.0V到4.0V之间,确保了器件在常见的逻辑电平驱动下即可开启,适用于多种控制电路。
BUK7Y18-75B,115具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,增强了系统的稳定性与可靠性。这使得它在电动车辆、电源转换器、负载开关和工业控制系统等高要求应用中表现出色。
BUK7Y18-75B,115广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。其主要应用领域包括:
1. 直流-直流转换器(DC-DC Converters):用于提高或降低电压,适用于便携式设备、计算机电源和工业控制系统。
2. 电机驱动电路:由于其高电流承载能力和低导通电阻,该MOSFET非常适合用于电动工具、电动车和工业自动化设备中的电机控制。
3. 负载开关:作为高电流负载的开关器件,常用于电源管理、电池管理系统和电源分配单元。
4. 逆变器和UPS系统:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等系统中,提供高效的能量转换。
5. 电源管理模块:适用于各种高效率电源模块和功率分配系统,确保稳定可靠的电力传输。
IRF1405, STP180N7F3, IPW90R045C3, FDP180N06AL