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BUK7Y153-100EX 发布时间 时间:2025/9/14 21:02:29 查看 阅读:5

BUK7Y153-100EX 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效能功率开关应用设计,具备优异的导通和开关性能。该MOSFET采用高性能Trench沟槽技术,确保在高压和大电流应用中的稳定性和可靠性。该器件封装形式为TO-220,适用于工业电源、电源管理和电机控制等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为4.8mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):34nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220
  功率耗散(Pd):150W

特性

BUK7Y153-100EX 具备多项优异的电气特性,首先是其较低的导通电阻(Rds(on)),这使其在导通状态下损耗较小,提高了系统效率。其次,该器件采用了先进的Trench沟槽技术,提供了更优异的开关性能和更高的电流密度。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温度环境下稳定运行,适用于苛刻的工作条件。
  该器件还具有较高的栅极电荷(Qg)性能,确保其在高频开关应用中的稳定性和可控性。同时,其封装形式为TO-220,便于安装和散热,适合用于工业和高功率应用。该器件的额定工作温度范围宽,能够在极端温度条件下稳定运行,满足工业级应用的需求。

应用

BUK7Y153-100EX 主要应用于各种功率电子系统,包括工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关。在电源管理应用中,该器件能够提供高效的功率转换效率,减少能量损耗,提高整体系统效率。在电机控制和负载开关中,其低导通电阻和快速开关特性可确保系统响应迅速、运行稳定。

替代型号

BUK7Y154-100A、BUK7K15-100E、IRFZ44N、STP15NF10L、FDPF15N10

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BUK7Y153-100EX参数

  • 现有数量457现货
  • 价格1 : ¥5.33000剪切带(CT)1,500 : ¥2.26117卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)153 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)497 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)37.3W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669