BUK7Y153-100EX 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效能功率开关应用设计,具备优异的导通和开关性能。该MOSFET采用高性能Trench沟槽技术,确保在高压和大电流应用中的稳定性和可靠性。该器件封装形式为TO-220,适用于工业电源、电源管理和电机控制等应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):典型值为4.8mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):34nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):150W
BUK7Y153-100EX 具备多项优异的电气特性,首先是其较低的导通电阻(Rds(on)),这使其在导通状态下损耗较小,提高了系统效率。其次,该器件采用了先进的Trench沟槽技术,提供了更优异的开关性能和更高的电流密度。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温度环境下稳定运行,适用于苛刻的工作条件。
该器件还具有较高的栅极电荷(Qg)性能,确保其在高频开关应用中的稳定性和可控性。同时,其封装形式为TO-220,便于安装和散热,适合用于工业和高功率应用。该器件的额定工作温度范围宽,能够在极端温度条件下稳定运行,满足工业级应用的需求。
BUK7Y153-100EX 主要应用于各种功率电子系统,包括工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关。在电源管理应用中,该器件能够提供高效的功率转换效率,减少能量损耗,提高整体系统效率。在电机控制和负载开关中,其低导通电阻和快速开关特性可确保系统响应迅速、运行稳定。
BUK7Y154-100A、BUK7K15-100E、IRFZ44N、STP15NF10L、FDPF15N10