时间：2025/9/14 7:25:46
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BUK7Y13-40B,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源管理系统，适用于多种高功率应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。BUK7Y13-40B,115 采用先进的TrenchFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，使其在高频开关应用中表现出色。该MOSFET封装为D2PAK（TO-263）形式，具备良好的热管理和功率密度，适合工业级温度范围（-55°C至+175°C）。此外，该器件具备低栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高系统效率。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）@ 25°C：130A
导通电阻（RDS(on)）：@ 4.5V：1.3mΩ；@ 2.5V：1.8mΩ
栅极电荷（Qg）：30nC @ 4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：D2PAK（TO-263）
功率耗散（Ptot）：180W
BUK7Y13-40B,115 是一款高性能的功率MOSFET，具有多项显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高了整体系统效率。在4.5V栅极驱动电压下，RDS(on)低至1.3mΩ，而在更低的2.5V栅极电压下仍能保持1.8mΩ的优异性能，使其适用于低电压驱动电路。
该器件采用了先进的TrenchFET工艺，提供更高的单元密度和更小的芯片尺寸，从而降低了导通损耗和开关损耗。此外，BUK7Y13-40B,115 具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），可显著降低开关过程中的能量损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。
其D2PAK封装设计具有出色的热管理能力，能够有效地将热量传导到PCB或散热器上，确保在高功率密度条件下仍能保持稳定的工作温度。同时，该器件具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于严苛的工业和汽车应用环境。
此外，BUK7Y13-40B,115 具备高抗雪崩能力，能够在异常工况下承受瞬态过电压冲击，提高了器件的可靠性和耐用性。其封装内部的引线优化设计也减少了寄生电感，进一步提升了高频开关性能和EMI表现。
BUK7Y13-40B,115 主要用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。典型应用包括：
? DC-DC转换器：如同步降压转换器、升压转换器和反相转换器，用于工业电源、服务器电源和通信设备电源系统。
? 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）、伺服电机和步进电机的功率开关，尤其适合电动工具、无人机和自动化设备。
? 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统和便携式设备中的电池充放电管理，提供高效率的开关控制。
? 负载开关：作为高电流负载开关，用于电源管理系统中的负载隔离和控制，例如服务器和笔记本电脑中的电源管理模块。
? 汽车电子：适用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）和其他汽车功率控制模块。
SiSS130DN-T1-GE3, IRF130, FDP130N10, IPB130N10S3-03, STD130N4F7AG
