您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BUK7Y12-55B,115

BUK7Y12-55B,115 发布时间 时间:2025/9/14 16:09:50 查看 阅读:20

BUK7Y12-55B,115 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流、高效率的开关应用,具有低导通电阻和高耐压特性,适用于各种电源管理和功率控制电路。该器件采用先进的Trench技术,提供优异的热稳定性和高可靠性。该器件封装在小型化的LFPAK56(也称为Power-SO8)封装中,便于表面贴装,同时具备良好的散热性能。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):55A
  导通电阻(Rds(on)):约3.7mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:LFPAK56(Power-SO8)

特性

BUK7Y12-55B,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。其Trench MOSFET结构提高了导通性能和热效率,同时在高频开关应用中表现出色。
  该器件具有出色的雪崩能量承受能力和良好的短路耐受性,增强了其在严苛工作环境中的稳定性。LFPAK56封装采用了双面散热技术,有助于提高散热效率,从而提升整体系统可靠性。
  此外,该MOSFET具有出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并具备良好的抗静电能力(ESD)。其栅极驱动要求较低,适合与标准驱动电路配合使用,降低了驱动电路的复杂性。
  该器件还具备良好的动态性能,适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

应用

BUK7Y12-55B,115 广泛应用于各类高功率密度和高效率电源系统中,包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和电源分配系统。由于其高电流能力和良好的热管理性能,该器件特别适用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
  此外,该MOSFET也适用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备和LED照明驱动电路。其高频开关能力使其在开关电源(SMPS)和同步整流电路中表现出色,有助于提高整体能效。

替代型号

IPD90N12N3 G
  IRF2807
  STP55NF12
  SiR142DP

BUK7Y12-55B,115推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BUK7Y12-55B,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2067pF @ 25V
  • 功率 - 最大105W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5514-6