时间：2025/9/14 16:09:50
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BUK7Y12-55B,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流、高效率的开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于各种电源管理和功率控制电路。该器件采用先进的Trench技术，提供优异的热稳定性和高可靠性。该器件封装在小型化的LFPAK56（也称为Power-SO8）封装中，便于表面贴装，同时具备良好的散热性能。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：120V
连续漏极电流（Id）：55A
导通电阻（Rds(on)）：约3.7mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
BUK7Y12-55B,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。其Trench MOSFET结构提高了导通性能和热效率，同时在高频开关应用中表现出色。
该器件具有出色的雪崩能量承受能力和良好的短路耐受性，增强了其在严苛工作环境中的稳定性。LFPAK56封装采用了双面散热技术，有助于提高散热效率，从而提升整体系统可靠性。
此外，该MOSFET具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具备良好的抗静电能力（ESD）。其栅极驱动要求较低，适合与标准驱动电路配合使用，降低了驱动电路的复杂性。
该器件还具备良好的动态性能，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
BUK7Y12-55B,115 广泛应用于各类高功率密度和高效率电源系统中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和电源分配系统。由于其高电流能力和良好的热管理性能，该器件特别适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备和LED照明驱动电路。其高频开关能力使其在开关电源（SMPS）和同步整流电路中表现出色，有助于提高整体能效。
IPD90N12N3 G
IRF2807
STP55NF12
SiR142DP
