BUK7Y12-55B,115 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流、高效率的开关应用,具有低导通电阻和高耐压特性,适用于各种电源管理和功率控制电路。该器件采用先进的Trench技术,提供优异的热稳定性和高可靠性。该器件封装在小型化的LFPAK56(也称为Power-SO8)封装中,便于表面贴装,同时具备良好的散热性能。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):120V
连续漏极电流(Id):55A
导通电阻(Rds(on)):约3.7mΩ(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:LFPAK56(Power-SO8)
BUK7Y12-55B,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。其Trench MOSFET结构提高了导通性能和热效率,同时在高频开关应用中表现出色。
该器件具有出色的雪崩能量承受能力和良好的短路耐受性,增强了其在严苛工作环境中的稳定性。LFPAK56封装采用了双面散热技术,有助于提高散热效率,从而提升整体系统可靠性。
此外,该MOSFET具有出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并具备良好的抗静电能力(ESD)。其栅极驱动要求较低,适合与标准驱动电路配合使用,降低了驱动电路的复杂性。
该器件还具备良好的动态性能,适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
BUK7Y12-55B,115 广泛应用于各类高功率密度和高效率电源系统中,包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和电源分配系统。由于其高电流能力和良好的热管理性能,该器件特别适用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
此外,该MOSFET也适用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备和LED照明驱动电路。其高频开关能力使其在开关电源(SMPS)和同步整流电路中表现出色,有助于提高整体能效。
IPD90N12N3 G
IRF2807
STP55NF12
SiR142DP