时间：2025/5/22 22:19:09
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BUK7Y12-40E 是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合应用于高效能电源转换、电机驱动和负载切换等场景。
这款MOSFET使用了PowerSO-8封装形式，能够提供卓越的热性能与电气性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和焊接。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：ton=12ns，toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
BUK7Y12-40E 具备非常低的导通电阻，仅为9.5毫欧，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，其栅极电荷较小，仅为37纳库仑，确保了更快的开关速度，从而降低了开关损耗。同时，该器件能够在高达150°C的工作结温下运行，增强了系统的可靠性和耐久性。
由于采用了PowerSO-8封装，BUK7Y12-40E 提供了出色的散热能力以及牢固的机械结构，非常适合高功率密度应用。此外，它还兼容标准PCB布局设计，简化了工程师的设计流程。
BUK7Y12-40E 广泛应用于直流-直流转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动器以及各类消费类电子设备中的负载开关功能。
在工业领域，此MOSFET可用于伺服电机控制、逆变器输出级驱动等场合；而在汽车电子方面，则适用于启动马达预驱、电动座椅调整及电动车窗升降等功能模块中。
BUK7Y1R2-40E, IRFZ44N, FDP5570
