时间：2025/9/14 16:42:32
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BUK7Y102-100B是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET器件，专为高效能和高可靠性设计，适用于各种电源管理和功率转换应用。这款MOSFET采用先进的Trench技术，提供低导通电阻、高耐压和优异的热性能，使其在高功率密度设计中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：48A
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
功率耗散（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
BUK7Y102-100B具有多项卓越特性，使其在多种电源应用中表现优异。首先，其低导通电阻（RDS(on)为10mΩ）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于电池供电设备或需要高效率的电源转换器尤为重要。
其次，这款MOSFET的最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用。其最大漏极电流可达48A，支持高电流负载，适用于高功率开关电源（SMPS）、电机驱动器和DC-DC转换器等场景。
此外，BUK7Y102-100B采用了先进的封装技术（TO-220），具备良好的热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定的运行温度。这不仅提升了器件的可靠性，还延长了系统的使用寿命。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于极端温度环境，如汽车电子、工业控制和户外电力设备。这种宽温度范围使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。
最后，BUK7Y102-100B具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在电压瞬态和负载突变情况下的稳定性，降低了因过压导致损坏的风险。
BUK7Y102-100B广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于DC-DC转换器和同步整流器，以提高整体转换效率。在电机驱动和H桥逆变器中，该器件的高电流能力和低导通电阻可有效减少能量损耗并提升响应速度。
此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源领域。其高耐压和良好的热稳定性使其成为车载电子系统（如电动车辆的功率模块）的理想选择。
由于其出色的可靠性，BUK7Y102-100B还被广泛用于工业自动化设备、电源分配系统和高功率LED照明控制电路中。
STP48NF10, IRFZ44N, FDP48N10
