时间：2025/9/14 15:05:39
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BUK7Y10-30B是一款由NXP Semiconductors制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高电流和高功率应用，具有出色的导通性能和热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench技术，确保在高压和大电流条件下仍能保持较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少功率损耗。BUK7Y10-30B广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：最大15mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220、D2PAK
功率耗散（PD）：83W
热阻（RthJA）：1.5°C/W
BUK7Y10-30B具备多项显著特性，适用于高性能功率管理应用。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低传导损耗，提高系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)最大为15mΩ，使其适用于高电流负载应用。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达10A，适用于电机驱动、开关电源和负载管理等应用。
此外，BUK7Y10-30B采用先进的Trench结构，提高了器件的热稳定性和可靠性，使其能够在高温环境下稳定工作。其最大工作温度可达175°C，适应恶劣工况下的长期运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的VGS，使其能够与多种控制电路兼容，包括微控制器和专用驱动IC。
在封装方面，BUK7Y10-30B提供TO-220和D2PAK两种版本，适用于不同的PCB布局需求，具有良好的散热性能。
最后，其低导通损耗和高耐压能力相结合，使其成为DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具和汽车电子等应用的理想选择。
BUK7Y10-30B广泛应用于多个高功率电子系统中，适用于多种功率管理与控制场合。首先，在电源管理领域，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，其低导通电阻可减少能量损耗，提高系统效率。
其次，在电机控制应用中，BUK7Y10-30B可用于H桥驱动、直流电机调速和步进电机控制，其高电流承载能力和热稳定性确保电机在高负载条件下稳定运行。
此外，该器件也适用于电池管理系统，如充电控制、放电保护和电池均衡电路，其高可靠性和宽温度范围使其适用于工业和汽车环境。
在汽车电子领域，BUK7Y10-30B可用于车载电源系统、车灯控制模块和电动助力转向系统（EPS），其耐高温特性和高耐用性满足汽车电子的严苛要求。
同时，该MOSFET也适用于工业自动化设备，如PLC、继电器替代电路和伺服驱动器，确保系统在长时间运行下的稳定性和可靠性。
IPD10N30C3, STP10NK30Z, FDP10N30
