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BUK7Y10-30B,115 发布时间 时间:2025/9/14 3:57:57 查看 阅读:9

BUK7Y10-30B,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的功率MOSFET晶体管,适用于需要高效率和高可靠性的应用。这款MOSFET属于逻辑电平类型,因此可以由标准的逻辑信号直接驱动。其主要功能是作为开关使用,用于控制电源系统的电流流动。

参数

类型:功率MOSFET(N沟道)
  漏源电压(Vds):30V
  漏极电流(Id):10A(最大)
  导通电阻(Rds(on)):0.025Ω(最大)
  栅极电压(Vgs):±10V
  封装类型:TO-220
  安装类型:通孔
  工作温度范围:-55°C至150°C
  功率耗散(Ptot):60W

特性

BUK7Y10-30B,115 具有低导通电阻,这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。其逻辑电平栅极驱动特性允许该器件直接与微控制器或其他逻辑电路接口,无需额外的栅极驱动器。此外,该器件具有高耐用性和热稳定性,能够在苛刻的环境条件下可靠运行。TO-220封装提供了良好的散热性能,适合高功率密度的设计。该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力,使其在负载切换时更安全。
  该器件采用先进的沟槽技术制造,提供了优化的开关性能,降低了开关损耗,并且具有良好的抗短路能力。此外,其栅极设计能够承受较高的电压应力,提高了器件在高频开关应用中的可靠性。由于其快速的开关速度和低Qg(栅极电荷),该器件非常适合用于DC-DC转换器、马达控制和负载开关等应用。

应用

BUK7Y10-30B,115 常用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器以及工业控制系统。此外,它也可用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统。由于其高可靠性和紧凑的封装形式,该器件在空间受限的设计中特别受欢迎。在需要高效能、低功耗的设备中,例如UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电源模块中,也广泛采用该MOSFET。
  其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于高频率开关应用,如同步整流和高频DC-DC转换器。此外,该器件还可用于各种类型的电源管理系统,如笔记本电脑电源适配器、服务器电源和工业自动化设备中的电源模块。

替代型号

BUK7Y10-30A,115; BUK7Y10-40B,115; FDPF10N30; IRFZ44N; Si4410DY

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BUK7Y10-30B,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C67A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1183pF @ 25V
  • 功率 - 最大85W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5512-6