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BUK7V4R2-40H 发布时间 时间:2025/7/9 17:43:11 查看 阅读:7

BUK7V4R2-40H 是一款由安森美(onsemi)推出的 N 沱道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理应用。
  BUK7V4R2-40H 使用 LFPAK56 封装(也称为 D2PAK-3 封装),这种封装能够提供卓越的散热性能和较低的寄生电感,适合高频和大电流的应用场景。

参数

类型:N 沱道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):40 V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):2.9 mΩ
  ID(连续漏极电流):104 A
  Qg(总栅极电荷):38 nC
  EAS(雪崩能量):3.2 mJ
  f(工作频率):高达 MHz 级别
  封装:LFPAK56 (D2PAK-3)

特性

BUK7V4R2-40H 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(2.9 mΩ 典型值),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力(104 A 连续漏极电流),适合高功率密度设计。
  3. 总栅极电荷低至 38 nC,有助于减少开关损耗。
  4. 支持快速开关操作,适合高频应用。
  5. LFPAK56 封装提供了良好的散热性能和电气连接稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  7. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的可靠性。

应用

BUK7V4R2-40H 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压转换器。
  3. 电机驱动电路,尤其是无刷直流电机(BLDC)控制器。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率级控制。
  6. LED 驱动器和逆变器等需要高效功率处理的应用。

替代型号

BUK7Y2R0-40E, IXTK100N04T4, IRF3205

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