时间：2025/9/14 13:45:00
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BUK7S1R5-40HJ 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流开关应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和DC-DC转换器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
漏极电流（Id）：150A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：130nC（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7S1R5-40HJ 具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为1.5mΩ，这使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，实现了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，同时保持良好的热稳定性。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为130nC，降低了开关损耗，使得其在高频开关应用中表现优异。此外，其TO-263（D2PAK）封装具备良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定工作。
BUK7S1R5-40HJ 的工作温度范围为-55°C至175°C，具有良好的耐高温能力，适用于严苛的工作环境。其封装无铅且符合RoHS环保标准，符合现代电子产品对环保的要求。
该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在高能量瞬态条件下的可靠性和耐用性，适用于汽车启动、电机驱动和电池管理系统等场合。
BUK7S1R5-40HJ 广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起停系统、电池管理系统（BMS）和车载充电器。此外，它也适用于工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和高功率电机驱动器等需要高效率和高可靠性的场合。其优异的导热性能和低导通损耗使其成为高功率密度设计的理想选择。
SiS150DN, IPB1R5N04C11N5ATMA1, BSC015N04LS
