时间：2025/5/8 14:07:57
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BUK7S0R9-40HJ 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。该器件由安森美（onsemi）生产，适用于高效能开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
这款功率 MOSFET 具有低导通电阻和优化的开关性能，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换，并且其封装设计有助于散热和简化 PCB 布局。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：36nC
输入电容（典型值）：1060pF
反向恢复时间：35ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7S0R9-40HJ 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中具有较低的传导损耗，从而提高整体效率。
该 MOSFET 的栅极电荷较小，可减少开关损耗，非常适合高频应用。此外，其出色的热稳定性允许其在高温环境下可靠运行。
SuperSO8 封装不仅具备良好的电气性能，还支持高效的热量散发，同时兼容标准 SMT 工艺，便于自动化生产和组装。
由于其快速的反向恢复时间和低 Qg，该器件能够实现更快的开关速度并降低电磁干扰（EMI）。此外，其较宽的工作温度范围也使其适合各种工业及汽车级应用。
BUK7S0R9-40HJ 广泛应用于需要高性能功率管理的领域，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- 降压和升压 DC-DC 转换器
- 电池管理系统（BMS）中的负载开关
- 电机控制与驱动电路
- 汽车电子系统中的功率转换模块
- 工业设备中的电源管理单元
IPW70R072P7
BSC018N06NS3
IRLB8749PBF
