时间：2025/9/14 10:56:12
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BUK7M8R5-40HX是一款由NXP Semiconductors生产的高性能功率MOSFET器件。该器件采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。该MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：160 A（在Tc=25℃时）
最大导通电阻（Rds(on)）：8.5 mΩ（在Vgs=10 V时）
功率耗散（Ptot）：140 W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK7M8R5-40HX具有多项突出的电气特性和设计优势。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统的能效。其次，该器件具备较高的电流承载能力，可在高功率应用中稳定运行。此外，其采用Trench结构设计，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性。栅极结构设计保证了良好的抗过压能力，增强了器件的可靠性。
该MOSFET还具备出色的热性能，封装设计支持高效散热，有助于延长器件在高温环境下的使用寿命。此外，其快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频操作环境，如同步整流、电机驱动和电源管理模块。由于其高稳定性和低损耗，BUK7M8R5-40HX特别适用于对性能和可靠性要求严格的工业和汽车电子应用。
BUK7M8R5-40HX适用于多种高性能电源管理应用，包括但不限于：服务器电源、电信电源系统、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车驱动器、DC-DC转换器、负载开关、工业自动化控制系统以及高功率LED照明驱动电路。该器件的优异性能使其在高频率、高效率、高可靠性要求的应用中表现出色。
IPB089N15N3 G | IRF1324S-7PPBF | SiR178DP-T1-GE3
