时间：2025/9/13 22:42:31
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BUK7M4R3-40HX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用Trench肖特基技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于高效率、高频开关应用。BUK7M4R3-40HX采用DFN2020-6L封装，具有较小的封装体积和优异的热管理能力，适用于现代电子设备中对空间和效率要求较高的场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：5.8A
导通电阻（Rds(on)）：4.6mΩ（在Vgs=10V时）
最大功率耗散（Ptot）：45W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：DFN2020-6L
BUK7M4R3-40HX具备多项显著特性，适用于各种高效率和高性能应用场景。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为4.6mΩ，在10V栅极驱动电压下能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，提供更小的芯片尺寸和更高的电流密度，有助于实现紧凑型功率设计。
此外，BUK7M4R3-40HX的DFN2020-6L封装具有优异的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。这种封装形式还具备良好的焊接可靠性和较小的寄生电感，从而提高高频开关应用的性能。该MOSFET还具有较高的栅极绝缘能力，最大栅源电压为±20V，使其在复杂的驱动条件下具备更强的抗干扰能力。
器件的导通和关断延迟时间较短，支持高频开关操作，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用。此外，BUK7M4R3-40HX具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，提高了系统的可靠性和使用寿命。
BUK7M4R3-40HX广泛应用于多个领域，特别是在对效率、尺寸和热管理有较高要求的电子系统中。例如，在电源管理系统中，该MOSFET可作为DC-DC转换器的主开关，提供高效的能量转换能力，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的电源模块。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制，确保电池运行的安全性和高效性。
该器件还适用于电机驱动电路，尤其是在小型电机控制应用中，如无人机、机器人和电动工具。其低导通电阻和快速开关特性可有效减少能耗并提高电机响应速度。此外，BUK7M4R3-40HX也常用于负载开关电路，用于智能电源管理，实现对不同负载的精确控制。
由于其DFN封装的紧凑性和良好的热性能，该MOSFET也适用于高密度电路板设计，如服务器、网络设备和工业自动化控制系统。在这些应用中，BUK7M4R3-40HX不仅提供了高效率的功率控制，还能有效减少电路板空间占用，提高系统的整体性能。
BUK7K4R3-40H、BUK7M5R2-40H、IPD310N4R2LJ、SiSS54DN
