时间：2025/9/14 15:09:25
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BUK7M3R3-40HX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻，适用于需要高效能和小体积设计的电源系统。这款MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理和电气性能，使其在各种工业和汽车应用中表现优异。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V至4V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
BUK7M3R3-40HX的主要特性之一是其超低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用NXP的TrenchMOS技术，能够在保持高耐压能力的同时实现较小的芯片尺寸，从而降低整体封装尺寸和成本。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合用于高功率密度的设计中。
该器件的封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），是一种双面散热的封装，能够提供良好的散热性能，并且支持PCB表面贴装工艺，有助于提高制造效率和可靠性。此外，BUK7M3R3-40HX还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
由于其高电流承载能力和低Rds(on)特性，该MOSFET适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适合在极端环境下使用。
BUK7M3R3-40HX广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。在工业领域，它可用于服务器电源、电信电源系统、DC-DC转换器模块、同步整流电路以及负载开关控制。在汽车电子方面，该器件适用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）以及各种电机驱动应用。
此外，该MOSFET还可用于光伏逆变器、储能系统、UPS（不间断电源）以及高功率LED照明驱动电路中。由于其具备优异的热管理和电气性能，特别适合需要高可靠性和高稳定性的电源设计。
IPB013N04LC G INFINEON, FDP120N40TM FSC, FDP120N40TM FSC, SQJQ120EP-T2-GE3 VISHAY, SQJQ121EP-T2-GE3 VISHAY
