时间：2025/9/14 15:33:58
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BUK7M27-80EX是一款由NXP（恩智浦）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用。该器件采用高性能的封装技术，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
BUK7M27-80EX具有多项突出的电气和机械特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为4.3mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，提供卓越的开关性能，使得在高频开关应用中能够保持较低的开关损耗。
此外，该器件具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为80A，适用于高功率密度的设计。其最大漏源电压为80V，适用于中高压功率转换应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统以及工业电源设备。
在封装方面，BUK7M27-80EX采用TO-220封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装在散热片上，确保长时间工作的稳定性与可靠性。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和能源管理系统。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在短时间过压或过流条件下保持稳定运行，从而提升系统的整体可靠性和耐用性。因此，BUK7M27-80EX在电源设计中被广泛采用，特别是在对效率和稳定性要求较高的应用中。
BUK7M27-80EX广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及汽车电子系统。其高效能和高可靠性的特点使其成为高功率密度设计中的理想选择。
IRF1404, IPB08N04S16N3, BUK7K27-80E
