BUK7M15-40HX 时间：2025/9/14 16:24:42 阅读：16

BUK7M15-40HX 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于多种高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用 HVSON（高电压小外形无引脚）封装，具备良好的热性能和空间效率，适用于需要高功率密度的设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A（在 25°C 下）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 8.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：HVSON（8 引脚无引脚封装）

特性

BUK7M15-40HX 具备多项优异的电气和热性能特性，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。其核心特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极电压下可低至 8.5mΩ，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达 15A 的连续漏极电流，在紧凑型封装中提供出色的电流处理能力，非常适合用于高负载条件下的功率开关。
　　该 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 技术，实现了更小的芯片尺寸和更高的电流密度，同时保持了良好的热稳定性和抗热失效能力。HVSON 封装不仅节省空间，而且通过底部散热焊盘提供了出色的热管理能力，使器件在高功率操作下仍能保持较低的结温。
　　另外，BUK7M15-40HX 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。其栅极氧化层设计可承受高达 ±20V 的栅源电压，增强了抗静电和误操作的能力。此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于工业级和汽车级应用。

应用

BUK7M15-40HX 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及车载电子系统（如车载充电器和启停系统）。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件也广泛用于高密度电源设计，如服务器电源、通信设备电源和工业自动化系统。
　　在汽车电子领域，BUK7M15-40HX 适用于各种车载功率管理应用，如车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电系统等。其宽泛的工作温度范围和高可靠性使其能够在恶劣的汽车工作环境中稳定运行。此外，该器件也适用于消费类电子产品中的高效率电源设计，如笔记本电脑适配器、移动电源和智能家电控制模块。